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硬件工程师面试 硬件工程师面试经历——面试篇

小编 2024-11-25 研发技术 23 0

硬件工程师面试经历——面试篇

如果说一份好的简历是求职的敲门砖,笔试是求职的通行证,那么面试的好坏就直接决定着你是否能拿得到工作这张门票。

找工作到现在,我拿到的offer一共有6个,按时间顺序是华为,36所,阿尔卡特朗讯,国家核电,兆芯,菲尼萨光电。这些公司提供的岗位我都还比较喜欢。

当然相比牛人,拿到10多个更为牛逼offer的人也大有人在,本文旨在提供一些自己的经验,以及告诉后来者一些找工作的“黑幕”,陷阱之类的。

另外,也是抛砖引玉,希望更多大牛能够积极分享经验,传递知识。

本文与上一篇博文:硬件工程师面试经历---面试篇(笔试)互为姊妹篇,前一篇侧重于笔试,本文主要侧重于面试。

写完了笔试篇之后我开始整理面试的经过(每次面试完之后我都会总结经验和教训),因为面试中更加灵活并且有很多内部的信息,如果你不知道的话,那么你会比较吃亏,举了例子而言,如果你有认识的人能够及时把招聘信息告诉你,或者帮你内推,那么你能应聘上岗位的概率将大很多。

因此,相对笔试而言,面试除了知识技能的考察,另外还有信息的掌握程度,应变能力方面的综合考量。

先来说说外企的求职现状吧。

首先,说说英特尔,由于我在英特尔一个硬件部门实习过,所以比较熟,如果你想去英特尔的硬件部门,那我可以明确地告诉你,基本上没有可能,这两年就实习生留了一个复旦的,而且做的是比较边缘的东西,跟研发无缘。

研发会少量招一个人什么的,但一般社招,好几年都没有校招了,这是里面开发部的员工跟我讲的。

因此,大家不要迷信英特尔校招上的JD,都是骗人的。

我们实习过了的,最多也只给一个面试机会,然后就没有然后了。

但是,如果你是做软件的,那么恭喜你,去英特尔的机会还是特别大的,我有三个同学(普通211)今年实习后直接留在了英特尔。

因为英特尔硬件部门趋于饱和,但软件正在大力发展中,机会还是比较多,有兴趣的同学可以在英特尔实习。

另外,在英特尔部分部门工作也有失业的风险,我去的前一年,那边有一整个部门全部裁掉了,我离职时有一个不重要的软件部门也裁掉了。

再说思科吧,开始我不知道,对思科硬件校招还挺抱希望的,后来跟在里面工作的师兄聊天才知道,近几年思科都不招硬件方面的,原理图,layout,信号完整性方面都不校招。

但是,这些岗位有实习,而且一直在招人,但实习如果没有机会留下来的话,感觉没什么意义。

再就是英伟达,英伟达校招挺难进的,或者说公司更趋向于招实习生然后一直留用,基本没有校招,留实习生一方面操作比较熟,另外省去了培训,试用期的时间。

今年有一个同学校招面试通过了的,最后也没有收到offer,原因是社招招到了人。

在说说华为,中兴,今年上海地区的三方发的比较晚,因此华为中兴留给上海的offer感觉不多,很多人都被坑的很惨很惨,比如说我有好几个同学都在9月份通过了华为的终面,华为也发了短信要他们,他们也都想去华为奋斗。

因此就没有在找其他工作,结果到10月底,华为一大批人都没发offer,那些人只是作为公司的备胎,所以很多人到了11月份一个offer都没有,于是一边骂娘一边心酸的继续找工作。

我很多同学面试中兴的时候,中兴也信誓旦旦的承诺一定发offer,结果很多也没发,我就是其中之一。

所以,后来者一定要吸取教训,公司口头的承诺不能完全相信的,offer发到手才是王道。

再来谈谈内推的问题吧。

这么说吧,我有一个师姐在马威尔工作,9月份她发给我们公司招聘的JD,说可以内推。

当时我们一部分人把简历发给了师姐,一部分人直接在官网上投递的简历。

结果内推的全部收到了面试通知,但是自己投的简历的全部被刷掉了。

应该说大家实力相差不太大,所以我想说的是如果有机会内推,大家一定不要错过,至少你多了一次机会。

闲话就扯到这里吧,希望对大家有所启发。

现在来谈谈我面试的经历。

因为在外企实习,发现很多核心的东西都无法接触到,而且外企大多效益不好,一直裁员不稳定,因此找工作时,对外企积极心不是很高,更多的是关注国企和私企。

首先,说说研究所和国家核电这样国企性质的单位吧。

先说说36所吧。

这家单位是交大有一个专门针对研究所的招聘会,我投了好几个研究所,而且都现场面试了,最后准备走的时候看到了,嘉兴36所,然后面试了大概半个小时,因为他们做的东西跟我的一个项目很接近,所以后来又让我去了一次,谈薪资之类的。

我没有答应,一方面是薪资比较低(大概8w一年,有安家费什么的),另外,我不太喜欢研究所,去面试主要还是想锻炼一下。

另外,给大家几个提醒,一个是去现场的这种招聘会,实际上很多研究所都招过几次人了,要么学校足够好,要么项目很相关,不然很多都会石沉大海的。

另外一点是,大部分要就所都有硬性要求的,就是本科硕士都要求是211以上的大学,否则,即使要你,也会没有编制,没有安家费,享受不到很多福利。

我身边已有很多同学验证过了。

再就是国家核电。

我面试的是,仪器电路设计方向的。国家核电面试也比较简单,大概不到半小时,先是自我介绍,问了一些项目,模数转换器方面的基础知识。

感觉特别简单,所以也没有总结。

后来就体检,然后就笔试将近三小时,最后发offer。

说实话,这个offer我还比较喜欢,国企工作稳定,而且做的是自己喜欢的工作,做一些核电仪器,设计相关电路。

并且有编制,我计算了一下,一年到手的大概至少10w吧,还有一些其他的福利,补充公积金什么的都有,环境不错,伙食也很好,整体感觉还不错。

最后考虑到上海房价太贵,也不会在上海买房什么的,因此这份稳定的工作也就放弃了。

如果,大家比较喜欢轻松稳定的工作,一直呆在上海,国家核电非常推荐。

接下来说说其他几家公司吧。

华为

华为我报的提前批,我第一个面试的公司。

大概2点开始面试,等到我面试的时候,差不多四点了,等的过程非常痛苦,特别难熬,尤其是看着别人进去面试,而自己又不知道会怎么样,这种感觉更甚。

我进去面试过程不到20分钟。

叫到名字后,由一个HR把我领到隔壁教室,然后就见到了我的面试官。

面试官还比较nice。

开始随便聊。。。。聊着聊着,本来开始很紧张的心情逐步地平静了下来。

因为,看到了我在英特尔的实习,问了一点实习的东西,很浅。

问我做的项目,而且仅问了一个项目。

我给他画了一下项目的框架。

然后讲了一下项目的结构,接着问我ADC采样每一个核都会有误差,不会是一根真好的曲线,然后该怎么调整。

后来又谈到了一些电源的东西,所以他问我问开关电源和LDO的基本框图,这个比较熟,很快就画出来了。

然后问我二者的区别,我把知道的说了一下,面试官比较满意。

整体而言,技术面比较简单,主要是一些项目的相关知识,比较浅。

二面就是性格测试,我一次性通过了,但是一般华为性格测试比较**,一半人会挂掉,还好可以做第二次。

我一次性能通过的原因,主要是之前就自己把测试题下载下来看了几次,经验就是一定要表现的很积极,愿意加班,团队合作之类的,还有就是不能前后矛盾。

三面就是综合面,简单聊聊。

感觉自己面的还不错,但我却没有第一批收到offer,而是后面的替补,因为华为的岗位是随机分配的,我也担心分到了不喜欢的岗位,所以没去。

中兴

专业面试和综合面试在同一天,专业面试问了我首先是成绩单上面的,无线通信学了哪些课程,学了哪些系统,我捡还记得说了一下。

然后一直跟我纠结我项目中的CDR,画图描述之类的,然后就问锁相环了,画框图,计算之类的,解释相噪等等,大概20分钟,问的不深。

之后就综合面试,问问英语,自我介绍,然后就聊聊职业规划什么的。

面完了感觉挺好的,但一直都没收到offer,替补都没轮上,至今想不明白。

阿尔卡特朗讯

很多童鞋不太喜欢这家公司,觉得这家公司发展不好。

但我倒挺喜欢这家公司的,原因是这家公司跟我做的方向很接近,也好往老家那边跳槽。

一共两面,技术面和HR面。技术面首先让我用英语介绍一个项目。

然后就切换中文,首先介绍了另一个项目,问了几个问题。

然后问我,高速系统为什么用差分线以及设计时差分线的要求?再就是做等长时,其中一根线要绕,那么要先考虑等长,在才是阻抗匹配,为什么?(保证采样的交叉点)。

接着就是做锁相环要考虑哪些因素?

电源设计,本振钟,环路带宽之类的。

最后面试官在他电脑上给了我一张他们的电路图,有CPU,时钟源,转换器之类的,让我分析,开始有点紧张,然后就一点点看,分析给他们听,最后两个面试官还挺满意的。

HR一开始用英文聊了大概十分钟多。聊了实习,爱好,生活之类的,很简答。

然后就工作,职业规划的聊了聊,很轻松。

兆芯

一共四轮面试。

两轮技术面,一轮manager面,一轮HR面。

一般需要三个多小时,面试中我喝完了两瓶水。

这家公司面试也很有特色,技术面时,一个问的很广,一个问的很深,主要也集中在做过的项目,实习,再就是电源设计,布板的考虑。

整体上不难,面试官也很好,我记得有一个问题,我不太清楚,面完了我还问面试官答案,他也告诉我了。

我觉得面试也是一个学习的过程,一方面面试后我们可以把不知道的东西记下来,慢慢学习。

另外一个,很多面试官可能也是技术大牛,不懂的问题,也可以交流交流。

菲尼萨

公司比较偏,光面试就花了我一天时间。面试很简单,就两轮。

第一轮技术面,第二轮HR面。大概各约50分钟。

这家公司是做光电方面的,因为我研究生和本科做的东西都挺相关的,所以面试也很愉快,没有为难我,问了我项目,并且问的特别细,我一直在黑板上画各种电路图,画了擦,擦了再画,最后简单因为让我介绍了一下项目,他们还挺满意。

中午和他们几个工程师一起吃的饭,聊得还蛮开心。

下午就是HR面了,比较轻松,问我有几个offer,我当时已经有三个了,HR问为什么还选择他们公司,我说比较相关之类的。但聊到工资时,感觉有点低,虽然有安家费,但工资貌似还不到9K,开始以为法国企业应该还不错。

所以就不太想去了。

第二天,HR打电话给我发口头offer,然后让我去公司进一步聊薪资,我觉得公司整体薪资摆在那里,应该也高不了多少,就没去了。

感觉自己如果不去的,也没有必要浪费别人时间。

絮絮叨叨地写了这么多,也算是对自己找工作的一个总结吧,也希望对大家有所帮助,有一些参考价值。

找工作最大的感悟就是:平时应该认真搞项目,加强自己的实力,只要自己亲手做了项目,认真准备了,面试其实真的很容易。

每次面试的时候,我就会想到这句话:台上三分钟,台下十年功。

要开始新的征途了,希望与大家共同学习,进步!

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硬件工程师面试时最常见的提问(实践总结,绝对硬核)

硬件工程师面试时最常见的提问(实践总结,绝对硬核)

问题1:CMOS和TTL有什么区别?如何相连?

知识点概述:CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,互补型金属氧化物半导体)和TTL(Transistor-Transistor Logic,晶体管-晶体管逻辑)是两种不同的数字逻辑电路技术,它们在设计、功耗、速度和噪声容限等方面有显著的区别。以下是它们的主要区别和如何相连的方法:

CMOS和TTL的区别:

构成元件:CMOS是由金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)构成的,属于单极性电路;而TTL是由双极型晶体管(BJTs)构成的,属于双极性电路。电源电压:CMOS的电源电压范围较宽,可以从5V到15V,而TTL通常工作在5V。功耗:CMOS的功耗较小,因为它在没有切换时几乎不消耗静态电流,而TTL由于其双极性特性,即使在稳定状态下也有较大的静态电流损耗。速度:TTL通常被认为速度较快,因为它是电流控制器件,而CMOS作为电压控制器件,在速度上通常较慢。但是,高速CMOS的速度可以与TTL相当。

噪声容限:CMOS的噪声容限比TTL的噪声容限大,这意味着CMOS电路更抗干扰。工作频率:CMOS的工作频率通常较TTL略低,但高速CMOS可以与TTL相媲美。

如何相连:

当需要将CMOS和TTL电路相连时,需要考虑电平转换、驱动能力和时延特性等因素。以下是一些常见的连接方法:电平转换:由于CMOS和TTL的逻辑电平不同,可能需要使用电平转换电路或芯片来确保信号在两种电路之间正确传输。驱动能力:在连接时,需要确保驱动源的输出电流能够满足负载的输入电流要求。

时延特性:在高速信号进行逻辑电平转换时,会带来较大的延时,设计时需要充分考虑其容限。

未使用的输入端:CMOS的未使用输入端不应悬空,应接地或接电源,以避免静电损坏;而TTL的未使用输入端悬空时通常被视为高电平。逻辑电平兼容性:在设计时,应检查CMOS和TTL电路的逻辑电平是否兼容,如果不兼容,需要采取适当的转换措施。通过这些方法,可以确保CMOS和TTL电路之间的有效连接和正常工作。

问题2: LDO和DC-DC有什么区别?分别用在什么场景?

LDO(低压差线性稳压器)和DC-DC(直流-直流变换器)是两种不同的电源管理技术,它们各自有不同的特点和应用场景。

LDO的特点:

工作原理:LDO通过内部的可调电阻来分担电压,从而实现降压。效率:由于其工作原理,LDO的转换效率相对较低,因为可调电阻会产生较大的发热。纹波:LDO的输出纹波较小,因为其内部结构和工作原理。

静态功耗:LDO即使在无负载的情况下也会有一定的功耗,但是相比DC-DC,其静态功耗较小。应用场景:LDO适用于对输出电压稳定性要求高、负载变化不大的场景,如手持设备、微处理器电源等。

DC-DC的特点:

工作原理:DC-DC通过内部的开关控制PWM波,通过控制PWM的高低电平比例来输出稳定电压。效率:DC-DC的转换效率较高,尤其是当负载较重时。纹波:由于周期性的开关操作,DC-DC的输出纹波可能比LDO大。

静态功耗:DC-DC在无负载时的功耗较低,但外围元件可能比LDO复杂。应用场景:DC-DC适用于需要高效率、大功率输出的场景,如车载系统、电信设备、工业控制系统等。

总结:

LDO:适合于对电压稳定性和纹波要求较高的低功率应用,但效率较低,发热较大。

DC-DC:适合于需要高效率和大功率输出的场景,可能在轻负载时效率较低,纹波较大。在选择LDO或DC-DC时,需要根据具体的应用需求,考虑效率、输出电压稳定性、纹波、静态功耗以及成本等因素。

问题3: 单片机最小系统没有正常工作,如何排查?

单片机最小系统没有正常工作时,可以按照以下步骤进行排查:

检查电源:首先确认单片机的电源是否正常。使用万用表测量单片机的VCC和GND引脚之间的电压是否符合单片机的工作电压要求,通常为5V或3.3V。如果电压不正常,需要检查电源线和电源模块。

检查复位电路:复位电路是单片机正常启动的关键。检查复位电路是否能够提供正确的复位信号,复位引脚(如51单片机的RST引脚)在上电时应为低电平,并在启动后变为高电平。

检查时钟电路:时钟电路为单片机提供运行节奏。检查晶振是否正常工作,晶振两端的电压是否正常,以及是否有短路或断路的情况发生。检查最小系统电路:最小系统通常包括电源电路、时钟电路、复位电路等。确保这些基本电路部分都已正确连接并工作正常。检查引脚连接:检查单片机的各个引脚,特别是关键的电源引脚(VCC和GND)、复位引脚、晶振引脚等是否有短路或断路现象。检查代码和烧录:确认烧录到单片机中的代码无误,并且烧录过程成功。如果代码或烧录过程中出现问题,单片机可能无法正常工作。

使用调试工具:如果可能,使用调试工具来检查单片机的运行状态,这可以帮助确定问题是否出在硬件或软件上。逐步排查:如果以上步骤都无法确定问题,可以尝试逐步替换或断开单片机系统中的其他组件,如传感器、显示器等,以缩小问题范围。通过这些步骤,通常可以定位到单片机最小系统无法正常工作的大致原因,并进行相应的修复或调整。

问题4: 简述三极管和MOS管的区别?

三极管和MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是两种常用的半导体器件,它们在电子电路中扮演着重要的角色。它们之间的一些主要区别:

工作原理:

三极管:三极管是一种双极型晶体管,它由两个PN结组成,具有三个层(发射极、基极和集电极)。它通过控制基极电流来调节集电极和发射极之间的电流。MOS管:MOS管是一种单极型晶体管,它利用电场来控制电流流动。它由一个绝缘层(通常是二氧化硅)和一个门极构成,通过改变门极电压来控制源极和漏极之间的电流。

导电机制:三极管:导电主要通过空穴和电子的复合和扩散。MOS管:导电主要通过电子或空穴的迁移。

功耗:三极管:在导通状态下,三极管需要基极电流来维持其工作,因此会有较大的功耗。

MOS管:MOS管在导通状态下不需要门极电流,因此功耗较低。开关速度:三极管:三极管的开关速度通常较慢,因为它涉及到载流子的扩散过程。MOS管:MOS管的开关速度较快,因为它涉及到电场的建立和撤销。

应用领域:三极管:常用于放大器、开关电路、功率放大器等。MOS管:常用于数字逻辑电路、模拟开关、功率放大器等。

制造工艺:

三极管:制造工艺相对简单,但集成度较低。MOS管:可以采用更先进的制造工艺,实现更高的集成度。噪声性能:三极管:由于其双极型特性,三极管的噪声性能通常不如MOS管。MOS管:由于其单极型特性,MOS管的噪声性能较好。温度稳定性:三极管:温度变化对三极管的性能影响较大。MOS管:MOS管对温度变化的敏感度较低。尺寸:三极管:由于其结构,三极管通常尺寸较大。MOS管:MOS管可以做得更小,适合高密度集成。每种器件都有其优势和局限性,选择使用哪种器件取决于具体的应用需求和设计考虑。

问题5: 简述I2C的通信原理?

I2C(Inter-Integrated Circuit),即集成电路间通信,是一种多主机、串行计算机总线。它由Philips(现在的NXP Semiconductors)在1980年代初期开发,用于微控制器和各种外围设备之间的通信。I2C通信原理主要包括以下几个方面:总线结构:I2C总线由两根线组成,一根是串行数据线(SDA),另一根是串行时钟线(SCL)。所有的设备都通过这两根线连接到总线上。

设备地址:每个连接到I2C总线的设备都有一个唯一的地址。当一个设备想要与另一个设备通信时,它会发送目标设备的地址。通信模式:I2C支持两种通信模式,即写入和读取。写入操作时,数据从主机流向从设备;读取操作时,数据从从设备流向主机。时钟同步:I2C通信由主机设备控制,主机设备通过SCL线提供时钟信号,以同步数据传输。数据在时钟的上升沿或下降沿传输,这取决于I2C的实现。

起始条件和停止条件:I2C通信以起始条件开始,即SDA线上的数据从高电平变为低电平,而SCL保持高电平。通信以停止条件结束,即SDA线上的数据从低电平变为高电平,而SCL保持高电平。应答机制:在每次字节传输后,接收设备通过在SCL的下一个时钟脉冲期间将SDA线拉低来发送一个应答(ACK)信号。如果接收设备不发送ACK(即SDA保持高电平),则表示非应答(NACK),这通常表示数据接收错误或通信问题。多主机支持:I2C总线支持多个主机设备。任何时候只有一个主机可以驱动SCL和SDA线,主机之间通过仲裁机制来解决对总线控制权的冲突。速度:I2C总线有多种速度标准,包括标准模式(最高100kbps)、快速模式(最高400kbps)、快速模式加(最高1Mbps)和高速模式(最高3.4Mbps)。I2C是一种非常灵活和流行的通信协议,由于其简单性和低功耗特性,广泛应用于各种电子系统中,用于连接微控制器和传感器、存储器、显示器等外围设备。

问题6: 如何驱动步进电机?

要驱动步进电机,需要了解步进电机的工作原理、步进电机的控制方式以及如何使用驱动器来控制步进电机。具体的实现方法:

了解步进电机的工作原理:步进电机通过改变电流方向来控制磁场,进而驱动转子转动。步进电机的每个步进通常对应一个固定的角度,例如1.8度。选择合适的驱动器:步进电机需要一个驱动器来控制电流的流动。驱动器可以是简单的功率放大器,也可以是具有细分功能的复杂驱动器,后者可以提供更精细的控制和更高的精度。接线:步进电机通常有多种接线方式,如两相四线、四相五线、四相六线等。您需要根据步进电机和驱动器的具体型号来接线。

编写控制程序:使用微控制器(如Arduino或单片机)来编写控制程序,该程序将生成控制步进电机转动的脉冲信号和方向信号。控制脉冲和方向:通过编程设置脉冲信号的频率和数量来控制步进电机的转速和转动角度。方向信号决定了步进电机的旋转方向。使用PWM信号:通过PWM(脉冲宽度调制)信号控制驱动器,可以调节步进电机的速度和扭矩。

细分设置:如果驱动器支持细分功能,可以通过设置细分来减小步距角,从而提高控制精度。测试和调整:在实际应用中测试步进电机的性能,并根据需要调整控制参数,如电流大小、细分设置等,以优化性能。防止失步:在负载较重或要求高精度的应用中,要注意防止步进电机失步,这可能需要更复杂的控制策略或使用更高级的驱动器。考虑电机的热管理和效率:步进电机在运行时会产生热量,需要考虑散热问题。同时,步进电机的效率和扭矩会随着速度的增加而降低,这需要在设计时予以考虑。通过上述步骤,您可以成功地驱动步进电机,并实现精确的位置和速度控制。

问题7:选用一款运放芯片时,应该重点考虑哪些参数?

选用运放(运算放大器)芯片时,应该重点考虑以下参数:

增益带宽积(GBWP):增益带宽积是指运放能够提供单位增益(增益为1)时的最大带宽。这是衡量运放速度的一个重要参数。输入偏置电流(Ib):输入偏置电流是运放两个输入端的静态电流,它会影响运放的输入偏置电压。输入偏置电压(Vos):输入偏置电压是运放在无输入信号时两个输入端之间的电压差。

输入电压范围:这是指运放能够接受的输入电压范围,包括共模输入电压范围(CMRR)和差模输入电压范围。电源电压范围:运放能够正常工作的电源电压范围。输出电压摆幅:运放输出端能够达到的最大和最小电压值。电源电流:运放消耗的电源电流,影响整体系统的功耗。失调电压(Vos):运放在无输入信号时输出端的直流电压。失调电流(Ios):运放在无输入信号时输出端的直流电流。噪声性能:运放内部的噪声水平,包括电压噪声和电流噪声。稳定性:运放是否能够在预期的工作条件下保持稳定。

输入阻抗:运放输入端的阻抗,高输入阻抗可以减少对信号源的负载效应。输出阻抗:运放输出端的阻抗,影响负载能力。温度范围:运放能够正常工作的最低和最高温度。封装类型:运放的物理封装,影响其在电路板上的安装方式。价格:运放的成本,根据应用的需求和预算选择合适的运放。制造商和供应链:选择信誉良好的制造商,并确保供应链的稳定性。数据手册:详细阅读运放的数据手册,了解其电气特性和应用指南。

选择运放时,需要根据具体的应用需求,综合考虑这些参数,以确保运放能够满足电路设计的性能要求。

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